ニュースリリース

記載されている内容は、価格・仕様等を含み全て記者発表時点のものです。最新の情報とは内容が異なる場合がありますのでご了承ください。
2009年07月17日

小型パッケージながら電力損失を55%低減※1、セットの熱対策と小型化に有効
低損失バイポーラトランジスタ ECHシリーズを発売

製品名

低損失バイポーラトランジスタ ECHシリーズ

機種名

ECH8101、ECH8102、ECH8201、ECH8202、ECH8901

サンプル出荷

2009年7月より順次開始

生産計画

2009年8月より量産開始 100万個/月

サンプル価格

50円~

 三洋半導体株式会社は、フラットパネルディスプレイや携帯機器に最適な「低損失バイポーラトランジスタ ECHシリーズ」5機種を開発しました。2009年7月より順次サンプル出荷を開始いたします。
 「低損失バイポーラトランジスタECHシリーズ」は、バイポーラトランジスタでは初となるクリップボンディング構造とMBIT-W(Multi-Base Island Transistor - Wireless)プロセスの採用により、SOT23クラス(2.9mm×2.8mm)のバイポーラトランジスタで業界最小※1の電力損失、従来比55%低減を達成いたしました。さらに、業界最大※1の電流定格12Aを実現し、性能を大幅に向上させております。
 また、性能向上と同時に従来同等性能品からの大幅な小型化を実現し、パッケージ材料を94%削減※2するとともに、実装面積の省スペースでセットの小型化に貢献いたします。

特長

※1
2009年7月17日現在、SOT23クラス(2.9mm×2.8mm)における従来の業界最高性能品との比較で。
※2
同等性能品であるTO-252クラス(6.5mm×9.5mm)との比較で。
◆関連WEBサイト
商品紹介サイト
画像ダウンロードサイトはこちら ・・・ http://jp.sanyo.com/news/press/download.html

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I.概要

 携帯電話、フラットパネルディスプレイ、太陽電池用パワーコンディショナーに代表される電子機器市場は、急速に拡大を続けており、これらの製品は一層の小型化、多機能化、より長い動作時間が望まれています。これらのニーズに応えるために、電源部に使用するバイポーラトランジスタにおいては、機器の小型化、薄型化に対応し、内部温度上昇を軽減するための低発熱、多機能化したLSIの消費電流に耐えうる高出力化、動作時間を延ばすための高効率化が不可欠となります。
 当社は、これらのニーズに応える為、小型、大電流で環境配慮型のECoP®シリーズとして各種製品を提供してまいりましたが、このたび独自のパッケージ技術とウエハ技術の採用によりクラス最高性能の低損失と電流定格を実現した「低損失バイポーラトランジスタ ECHシリーズ」を開発いたしました。
 今回は、太陽電池用パワーコンディショナーや無停電電源装置等で使用されるIGBTのゲートドライブ回路、各種電源ラインのスイッチ回路、DCモータドライブ回路等に最適なシングルタイプPNP/NPNバイポーラトランジスタ4機種と携帯電話充電スイッチ用途に最適なPchMOSFETとPNPバイポーラトランジスタの複合タイプ1機種の合計5機種の新製品を発表します。

「ECoP」は三洋電機株式会社の登録商標です。

II.特長

1.業界最小の電力損失!従来製品比で電力損失を55%低減

 バイポーラトランジスタでは業界初となるクリップボンディング技術を採用。内部配線に用いられている金線を、断面積の大きい銅板に替えることで、パッケージ抵抗を80%低減しました。MBIT-Wプロセスと組み合わせることにより、SOT23クラス(2.9mm×2.8mm)の業界最高性能品と比較して、電力損失を55%低減することができます。昨今、セット内の発熱によるトラブル回避のため、熱対策は欠かせない課題となっていますが、本製品は低損失で発熱が従来の約半分ですので、温度上昇を防ぎ、セットの熱対策にも有効です。

※3
VCE(sat)はIB=100mA時にIC=2Aを流すためにコレクタ・エミッタ間に印加される電圧。電力損失はVCE(sat)×ICとなりますので、VCE(sat)が小さいほど電力損失が小さくなります
2.業界最大の電流定格!従来製品比2.4倍の電流定格12Aを実現

 当社独自の二層電極構造を用いたMBIT-W(Multi-Base Island Transistor - Wireless)プロセスを採用することによって有効動作面積を向上させるとともに、大きなクリップボンディングパッドを形成する事ができました。この結果、SOT23クラスでは最大の電流定格12Aを実現、同クラスの業界最高性能品と比べ、2.4倍の電流定格を達成しています。

3.小型化によりパッケージ材料を94%削減した省資源型製品

 従来製品で本製品と同等性能を確保するには、実装面積が約8倍のTO-252クラス(6.5mm×9.5mm)を用いる必要があります。TO-252クラスから大幅に小型化を図った本製品に置き換えることで、エポキシ樹脂などのパッケージ材料を94%削減できます。この材料削減をCO2削減※4に換算すると1個あたり約760mg、94%のCO2を減らせることになります。
 また、外部端子の鉛フリー、パッケージ樹脂のハロゲンフリー、高性能化による省エネルギーなど、あらゆる面にて環境配慮型の製品となっております。

※4
参考文献:未踏科学技術協会「環境負担評価システム構築のための基礎調査研究」調査報告書(1995年3月)
       化学経済研究所 基礎素材のエネルギー解析調査報告書(1993年.9月)

III.仕様

※5
セラミック基板(1000mm2×0.8mm)装着時

Ⅳ.アプリケーション例

お問い合わせ先・資料請求先

◆お問い合わせ先
三洋半導体株式会社 営業統括部 営業戦略部 担当:内田/米山
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田1-1-1
TEL:0276-61-8506
◆資料請求先
三洋半導体株式会社 ハイパーデバイス事業部 HD商品企画部 担当:秋田/栗原
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田1-1-1
TEL:0276-61-8055

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